HXY15P06BD_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:95mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该P沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS），可承受最高15A的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDSON）低至95mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。采用P沟道设计，适用于电源开关、电池供电设备及直流负载的控制电路中，作为高效开关元件用于实现电源管理与电路通断控制，满足对空间紧凑和功耗敏感的应用需求。
