HXY60P02BDF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:P-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该P沟道场效应管具有20V的漏源额定电压（VDSS），连续漏极电流可达60A，导通电阻低至7mΩ，在低电压开关应用中表现出较低的导通损耗。其P沟道结构适用于高边开关配置，能够简化栅极驱动电路设计。器件在导通状态下具备良好的电流承载能力，适合用于电源管理、电池供电设备的负载切换、直流电源控制等场景。低RDSON有助于提升能效，减少发热，适用于对空间和散热要求较高的紧凑型电子设备中的功率开关应用。
