HXY4886S_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:8A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:100mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该NN沟道场效应管额定漏源电压VDSS为100V，漏极连续电流ID为8A，栅源电压范围±20V，导通电阻RDON为100mΩ。双N沟道结构提供一致的开关特性，适用于中高压开关电路。100V耐压可支持较高母线电压的应用场景，结合较低导通电阻，有助于减少导通损耗，提升系统能效。器件适用于DC-DC升/降压转换器、高边开关电路、电池供电设备的电源管理模块以及需要中等电流驱动能力的同步整流设计，适合对电路稳定性与空间布局有要求的多功能电子产品。
