HXY65N06NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:65A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压范围（VGS），可支持最高65A的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDON）为8mΩ，有助于减少导通损耗，提升整体能效。N沟道结构具备优异的开关特性，适用于同步整流、DC-DC转换及高电流开关电路。器件在高功率密度设计中表现稳定，适合用于便携式设备电源管理、高性能计算模块及电池供电系统中的功率控制，满足对效率与散热管理有较高要求的应用场景。
