PCDD0465G1_L2_00001_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:4A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高电压电力转换场合。其正向导通压降为1.4V，在高频开关过程中有效降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温稳定性与快速恢复能力，可显著减少开关过程中的能量损耗。该产品适用于对效率与散热有较高要求的电源架构，如高性能DC-DC变换器、服务器电源模块、可再生能源发电中的逆变单元及高密度电源适配系统。
