APC65R550KM_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:6.8A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:460mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻为460mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统能效。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定的栅极驱动控制。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，器件具备优异的高温工作能力、耐高压性能及快速开关响应。适用于高效率功率转换电路，如大功率开关电源、DC-DC变换器、可再生能源发电逆变装置、储能系统及高密度电源模块，尤其适合对热管理要求严苛、需减小无源元件体积与整体系统尺寸的应用场景。
