MJD08N65_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:6.8A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:460mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至460mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-4V至!8V，具备良好的栅极控制稳定性。采用宽禁带半导体材料碳化硅，可支持高频、高温及高压工作环境，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、光伏逆变系统及高密度功率模块等场景，其优异的开关特性有助于减小无源器件体积，提高整体功率密度。
