IPD60R360PFD7S-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了驱动兼容性与工作稳定性。得益于碳化硅材料的优异特性，该器件可在高频、高温及高压环境下保持低开关损耗与导通损耗，广泛应用于开关电源、光伏逆变系统、服务器电源模块及高密度电源转换装置中，满足对能效与功率密度有较高要求的场景。
