TSD65R550_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:6.8A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:460mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达6.8A，导通电阻（RDON）为460mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。栅源电压范围（VGS）为-4V至!8V，具备良好的驱动兼容性与稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件支持高频开关操作，具有优异的热性能和可靠性。适用于高效率开关电源、太阳能逆变装置、储能系统中的功率转换模块以及高密度电源适配器等应用，尤其适合对散热设计和空间布局有较高要求的电力电子设备。
