IV2D12002P2_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压工作环境。其正向压降（VF）为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提高能量转换效率。基于碳化硅材料的特性，该二极管具备快速开关能力与极低的反向恢复电荷，可有效减少开关损耗。适用于高电压直流电源、高效能AC-DC转换器、不间断电源系统及高频率功率因数校正电路，满足对小型化与高可靠性要求较高的应用场景。
