S4D02120E_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备2A的连续正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）典型值为1.36V。采用碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和高开关速度，反向恢复特性近乎理想，可显著降低开关损耗。其高耐压与低导通损耗的组合，适用于高效率、高频率的电力转换场景。常见应用于高压直流电源、开关模式电源、光伏逆变器以及对能效和热管理要求较高的紧凑型电力电子装置中。
