ASD2120D_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具有2A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。依托碳化硅材料优势，具备出色的高温稳定性和快速开关特性，反向恢复损耗极低。适用于高电压、高效率的电力转换电路，如高压电源系统、光伏逆变装置、开关模式电源及高密度功率模块。其高耐压能力与低导通损耗特性有助于提升系统能效，满足对可靠性与紧凑设计有较高要求的应用场景。
