IPA60R360P7S-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压为650V，连续漏极电流达15A，导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围-5V至!6V，支持稳定的栅极驱动与器件控制。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高温工作能力、高频开关性能及抗热失效特性，适用于高功率密度电源系统。典型应用场景包括高效开关电源、不间断电源（UPS）、可再生能源逆变装置、高密度电源适配器以及储能系统的功率转换电路。
