CI02S120C3_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:2A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，具备2A的正向平均电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。采用碳化硅材料，具有快速开关特性、极低的反向恢复电荷及出色的高温稳定性。高耐压能力与低导通损耗相结合，适用于高电压、高频率的电力转换应用，如高压直流电源、高效逆变设备、储能系统中的功率因数校正电路以及高可靠性电源模块。器件可有效降低开关损耗，提升系统整体能效，并简化热管理设计，满足对功率密度和运行稳定性有较高要求的场合。
