IV2D12002O2_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:2A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具有2A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、低电流的电力转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有助于减少导通损耗，提升系统能效。器件基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和快速开关特性，可有效降低反向恢复电荷。典型应用涵盖高压电源模块、开关模式电源、光伏逆变器中的升压电路以及不间断电源系统，适合在高效率、高可靠性要求的电力电子设计中作为关键整流元件使用。
