PCDP0465G1_T0_00001_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:4A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.53V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单管结构，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电源转换电路。其正向导通压降（VF）为1.53V，在高频工作条件下可有效降低导通损耗。得益于碳化硅材料的特性，器件具有极短的反向恢复时间与极低的反向恢复电荷，显著减少开关过程中的能量损耗。该特性使其适用于高频率、高效率要求的开关电源拓扑，如PFC电路、DC-DC变换器及高密度AC-DC电源模块，有助于提升系统整体能效并简化热管理设计。
