GB01SLT12-252_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:1A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，反向重复峰值电压（VR）高达1200V，适用于高压电源系统。其正向压降（VF）为1.39V，在高频开关条件下仍能保持较低导通损耗。得益于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温工作能力与快速恢复性能，可减少开关过程中的能量损耗。适用于高压直流电源、开关模式电源、不间断电源中的升压整流环节，以及对能效和系统可靠性要求较高的电力转换装置，尤其适合紧凑型高电压设计需求。
