P3D06008I2_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.38V，有助于提升能效并减少系统热损耗。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效降低开关损耗。适用于高效率电源转换设计，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流变换器等场景，能够满足对功率密度和热管理有较高要求的应用需求。
