GC2M0160120D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款碳化硅场效应管（MOSFET）采用N沟道结构，具备18A的连续漏极电流（ID）和1200V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高电压和高功率场景。导通电阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。器件基于碳化硅材料打造，具备优异的热稳定性和开关性能，可满足高频、高效率电力转换需求。主要应用于电源转换器、新能源设备以及高密度电力系统中，为复杂工况下的电力控制提供可靠支持。
