P3D06008G2_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.42V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.42V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关响应与高工作温度能力，反向恢复特性优异，可有效降低开关损耗。适用于高效率直流-直流转换、功率因数校正电路及高压电源模块，在高频开关电源与可再生能源逆变系统中表现出良好的稳定性和可靠性，有助于提升整体能效并减小散热设计负担。
