LSIC2SD065D10A-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.51V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降为1.51V。基于碳化硅材料，该器件具有快速开关特性、低反向恢复电荷和良好的热稳定性，适用于高频、高效率的电力电子电路。其性能优势可支持紧凑型电源设计，广泛用于服务器电源、可再生能源逆变装置、不间断电源系统及高功率密度DC-DC转换器中，有助于提升系统能效并减少散热需求。
