P3D06008T2_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.38V。采用碳化硅半导体材料，具备出色的热稳定性和高频开关能力，反向恢复时间极短，可显著降低开关过程中的能量损耗。适用于高效率电源转换拓扑，如连续导通模式的功率因数校正电路、高密度开关电源及直流-直流变换装置。其低损耗特性有助于提升系统能效，减少散热设计复杂度，适合对功率密度和长期运行稳定性有较高要求的电力电子应用。
