UJ3C120040K3S-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用先进碳化硅材料工艺，具备优异的导热性与耐高温特性。其最大漏极电流ID可达63A，导通电阻RD(ON)低至32mΩ，确保在高功率密度场景下实现高效能表现。适用于高效电源转换系统、可再生能源设备及高频率开关电路，满足对效率与可靠性有高要求的电力电子应用需求，为复杂电路设计提供稳定支持。
