PCDD05120G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:5A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备5A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.38V。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗。适用于高效率电源转换场合，如大功率开关电源、光伏逆变系统及高密度电源模块，能够提升系统整体能效并减小散热设计负担，在高频、高耐压工作环境下表现出良好的稳定性和可靠性。
