BCZ120N80M1_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备75mΩ的低导通电阻和32A的连续漏极电流能力。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具有高效的开关性能和良好的热稳定性，适用于高频率、高效率的功率转换系统。可广泛用于能源管理、通信电源、智能电网等领域的DC-DC转换、逆变器及功率因数校正电路中，满足高压高频环境下的稳定运行需求。
