S3D30065G_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:30A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.41V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力转换场合。其正向导通压降（VF）为1.41V，在同类器件中表现优异，有助于减少导通损耗，提升能效。采用碳化硅材料，具备出色的开关特性与高温工作能力，反向恢复时间短，可支持高频应用。器件适用于大功率电源系统、储能设备中的能量转换模块以及高性能逆变装置，其结构设计有利于热管理与系统集成，适合对效率和可靠性有较高要求的电力电子设备。
