CI30N120M4_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备良好的导通特性和高效的开关表现。其最大漏极电流（ID）为32A，导通电阻（RDON）为75mΩ，有助于减少导通损耗并提高系统能效。碳化硅材料赋予器件优异的高温稳定性和耐压能力，适合在高压、高频及高功率密度环境下运行。广泛应用于高效能电源转换装置、新能源设备及精密电子系统中的功率控制与能量调节环节。
