S1M075120H1_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有优异的高频开关性能与低导通电阻特性。其漏极电流ID可达32A，漏源电压VDSS为1200V，导通电阻RDON低至75mΩ，适用于高效率、高频率的电力转换场景。碳化硅材料的使用使其具备更高的热稳定性和更小的能量损耗，适合用于电源适配器、光伏逆变器及高密度电源系统等对性能与能效有较高要求的场合。
