STPSC10H12B2-TR-HXY_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、高效率的电力电子电路。其正向导通压降（VF）为1.39V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升系统能效。依托碳化硅材料的高热导率与高击穿场强特性，该器件支持高频工作，反向恢复特性优良，适用于开关电源、不间断电源及可再生能源发电系统中的整流与续流环节，尤其适合对功率密度和热性能有较高要求的紧凑型电源设计。
