GE10MPS06E_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中高功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有利于提升系统能效。得益于碳化硅材料特性，该二极管具备极快的开关速度和极短的反向恢复时间，可显著降低开关损耗，支持高频化设计。主要应用于高效率开关电源、通信电源模块、服务器电源单元、高密度DC-DC转换器及光伏逆变电路，适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。
