STFU23N80K5-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了稳定的开关控制与可靠性。得益于碳化硅材料特性，器件具有优异的耐高温性能和较低的开关损耗，可应用于大功率电源变换器、太阳能逆变系统及高密度电源模块中，有助于提升系统整体能效并减小散热设计负担。
