HT39N650ADZ_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:39A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用宽禁带半导体材料，具备优异的电学性能。其最大漏极电流为39A，漏源击穿电压达650V，导通电阻低至60mΩ，可支持高功率密度与高效能设计。该器件具有快速开关响应、低损耗及高热稳定性等特点，适用于新能源发电、储能系统、高端电源转换及精密电子设备中的功率控制与能量管理，满足高频、高压、高效率的应用需求。
