B1D08065E_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.4V。低导通损耗与快速开关特性使其在高频率电源转换应用中表现出色，可有效提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的高耐温与高热导特性，适用于紧凑型高功率密度设计，广泛用于高效开关电源、光伏逆变模块及高压直流转换电路中，有助于减小系统体积并提升长期运行稳定性。
