HT39N650AKZ_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:39A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高性能与高可靠性。其漏极电流（ID）可达39A，漏源电压（VDSS）为650V，导通电阻（RDON）低至60mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。碳化硅材料的使用提升了器件的耐高温性能与开关速度，降低了能量损耗。该MOSFET可广泛应用于新能源、智能电网、精密电源管理及高效能电子设备中，满足复杂工况下的稳定运行需求。
