PCDP0865GC_T0_00601_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流8A，反向重复峰值电压650V，适用于中高功率密度的电源转换电路。其正向导通压降为1.38V，在持续导通状态下具备较低的功耗表现。得益于碳化硅半导体材料的特性，器件具有优异的高频工作能力、极短的反向恢复时间及良好的热稳定性。这些特性使其适合应用于高效开关电源、数据中心供电单元、光伏逆变系统、高密度充电设备以及对能效和散热管理要求较高的电力电子装置中，有助于提升系统整体效率并减小散热设计负担。
