P3D06010E2_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率密度的电力转换设计。其正向导通压降（VF）低至1.37V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作稳定性与极快的开关速度，反向恢复特性理想，适用于高频开关电源、DC-DC转换模块、功率因数校正电路等应用，尤其适合对热性能和转换效率有较高要求的电子设备。
