IV1Q06060T4G_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:39A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为650V中高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有良好的导通性能与开关特性。最大连续漏极电流ID为39A，漏源导通电阻RDON为60mΩ，能够在较高频率下实现稳定的电能转换。碳化硅材料赋予器件优异的耐高温能力和较低的开关损耗，有助于提升系统整体效率。适用于高效电源变换系统、可再生能源接入设备及智能配电模块等应用场景，为现代电力电子设备提供高性能、高可靠性的核心器件支持。
