GC2M0080120D1_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备低导通电阻（RDON）80mΩ，支持高效能功率转换。在25℃环境下，最大连续漏极电流（ID）可达36A，适用于高频率、高效率的电源系统设计。碳化硅材料的使用提升了器件的耐高温性能与开关速度，有助于减小系统体积并提升整体能效。该器件广泛应用于高效电源转换设备中，如高密度电源适配器、光伏逆变系统及高功率密度DC-DC转换器等场景。
