CI30N65SM_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:39A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道结构，具备39A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率电力转换应用。其导通电阻（RDON）仅为60mΩ，有效降低导通损耗，提升整体系统效率。基于碳化硅材料，该器件具备良好的热导率和高频开关特性，支持高效、紧凑的电源设计。适用于电源适配器、储能系统及高效能电力电子装置，满足对高可靠性与高性能的复杂电力控制需求。
