PCDP0665GB_T0_00601_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降（VF）为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升系统能效。碳化硅材料赋予其优异的高温稳定性和开关特性，支持高频工作模式。该器件适用于高效率电源适配器、不间断电源系统、可再生能源逆变设备及高密度开关电源模块，独立封装设计有利于热管理与电路布局优化，满足对功率密度和可靠性要求较高的应用需求。
