PCDP10120G1_T0_00001_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达1200V，适用于中高功率电力电子系统。其正向导通压降（VF）低至1.39V，有效降低导通损耗，提升整体能效。得益于碳化硅材料的特性，器件具备优异的高温工作稳定性与快速开关能力，反向恢复特性显著优于传统硅基二极管。典型应用涵盖高效开关电源、可再生能源发电系统中的功率转换模块、不间断电源装置及高频率DC-DC变换器，适合对功率密度与热管理有较高要求的电路设计。
