P3D12005T2_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:5A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定平均正向整流电流（IF）为5A，最高可承受1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压、高效率的电路环境。其正向导通压降（VF）为1.38V，在导通状态下能量损耗较低，有助于提升系统能效。采用碳化硅材料，具备优异的反向恢复特性，支持高频工作模式。常用于高性能电源转换装置，如大功率开关电源、不间断电源系统、可再生能源发电逆变器及高密度功率因数校正模块，满足对热稳定性与电气性能有较高要求的应用场合。
