AIDK08S65C5-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.42V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.42V，表现出优异的导通性能与能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具有快速开关能力与较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电力转换场景。其材料特性支持在较高结温下稳定运行，适合用于紧凑型电源设计、高效能适配器、可再生能源逆变系统及高性能直流电源模块中，有助于减小系统体积并提升整体效率。
