IDWD10G120C5-HXY_TO-247-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.47V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.47V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少能量损耗和热积累。适用于高功率密度电源转换系统，如高效开关电源、光伏逆变装置及储能系统的功率级设计，适合对热管理和空间布局有严格要求的应用场景。
