SL19N120A_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备18A连续漏极电流能力及160mΩ的低导通电阻。采用碳化硅材料，实现高效能与低损耗，适用于高频率、高功率转换场景。其高耐压特性使其在电源系统中具备出色的稳定性和可靠性，广泛用于高效能电源转换、可再生能源系统、储能设备及精密电子设备中，满足对性能与效率有高要求的电路设计。
