GC3M0075120K_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备32A的连续漏极电流能力，导通电阻为75mΩ，具有较高的电流承载能力和较低的导通损耗。基于碳化硅材料，器件具备优异的高温工作稳定性与快速开关响应特性，适用于高频率功率转换设备、新能源发电系统、智能电网模块以及高效电源管理电路，为高性能电力电子应用提供可靠支持。
