CDBJFSC10650-G_TO-220F-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，具备较高的电压耐受能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有利于提升系统效率。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，适用于高效率开关电源、直流变换装置及对热稳定性要求较高的电力电子电路，能够在较宽温度范围内稳定运行，满足高功率密度设计需求。
