IPA65R110CFD-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:24A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:110mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和24A连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定栅极控制，增强开关可靠性。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作性能、耐高压能力和快速开关响应，适用于高频率、高功率密度的电路设计。广泛用于高效电源转换系统、可再生能源逆变装置、高压直流变换模块及高性能电力电子设备中，满足对热管理与能效表现要求较高的应用场景。
