SL42N120A_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备36A的连续漏极电流（ID）和80mΩ的导通电阻（RDON）。碳化硅材料赋予器件优异的高电压耐受能力和高效的开关特性，适用于高频、高功率密度的电力电子系统。该器件适用于多种高性能电源应用，如高效电源转换器、智能能源管理系统及高可靠性电力设备，在复杂电磁与温度环境下均能保持稳定工作表现。
