P3D06010G2_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.51V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向平均电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）可达650V，适用于中高压功率应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.51V，在持续导通状态下具备较低的功耗表现。基于碳化硅半导体材料，器件具有优异的高温稳定性、极短的反向恢复时间及微小的反向恢复电荷，有效降低开关过程中的能量损耗。可广泛用于高频率开关电源、高效能DC-DC转换模块、光伏逆变单元及高性能电源适配器等场合，支持高功率密度与高能效系统设计。
